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6英寸氮化镓厚膜晶片（非摻）

規格：GaN-T-C-U-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 電阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm

2022-07-06

產品描述

6英寸氮化镓厚膜晶片（非摻）

文件大小：134.8KB 時間：2022-07-06
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